Город бешаных рефератиков
.

.

РАЗДЕЛЫ

РЕКОМЕНДУЕМ

КАТАЛОГ РЕФЕРАТОВ

Реферат Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок (WinWord) [Курсовая]

Московский Государственный
Технический Университет им. Н. Э. Баумана
Калужский филиал




КАФЕДРА МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ И МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ




Курсовая работа

по курсу:” Технология материалов электронной техники”


ТЕМА: ” Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок.”




Выполнил: Тимофеев А. Ю.
Группа: ФТМ-71
Проверил: Кунакин Ю. И.








г. Калуга
1996 год

Содержание

Введение. 3
Электрофизические свойства объемного арсенида индия. 3
• Зонная структура арсенида индия. 3
• Оптические свойства арсенида индия. 4
• Подвижность в арсениде индия. 5

Методы глубокой очистки индия и мышьяка. 6
• Методы глубокой очистки индия. 6
• Методы получения мышьяка и его соединений высокой
степени чистоты. 7

Эпитаксиальное наращивание арсенида индия
из газовой фазы. 7
• Система In-AsCl3-H2 . 8
• Система In-HCl-AsH3-H2. 9
• Система InAs-SiCl4-H2. 10
• Пиролиз МОС. 11

Жидкофазная эпитаксия арсенида индия. 12
Молекулярно лучевая эпитаксия арсенида индия. 13
Заключение. 14
Список использованной литературы. 16






Введение.

Эпитаксиальный арсенид индия - перспективный материал электронной техники. Высокая подвижность электронов в арсениде индия прямозонная структура позволяют использовать его для изготовления высокоэффективных электронных и оптоэлектронных приборов, в частности быстродействующих транзисторов и интегральных схем, фотоприемных детекторов ИК - диапазона, инжекционных лазеров с длиной волны 3,5 мкм.
Однако широкое использование тонкопленочных структур арсенида индия сдерживается отсутствием полуизолирующих подложек в связи с малой шириной запрещенной зоны арсенида индия. Следует также отметить недостаточную механическую прочность материала. Указанные проблемы могут быть преодолены, по крайней мере частично, при гетероэпитаксиальном выращивании арсенида индия. В этом случае, как правило, эпитаксию проводят на подложках арсенида галлия с ориентацией поверхности (001).
Значительное рассогласование параметров решеток арсенида индия и арсенида галлия 7.4% приводит при получении гетероэпитаксиальных пленок арсенида индия и арсенида галлия методами газотранспортной и жидкофазной эпитаксии к формированию переходного слоя значительной толщины и к большей плотности морфологических и структурных дефектов. Это обусловлено ограничениями как физического характера, присущим данным эпитаксиальным технологиям, так и ограничениям, связанными с “ненаблюдаемостью” процесса роста.



Электрофизические свойства объемного арсенида индия.
Зонная структура арсенида индия.

Зона проводимости.




ГОРОДСКИЕ ЗАКОНЫ

Рефераты и/или содержимое рефератов предназначено исключительно для ознакомления, без целей коммерческого использования. Все права в отношении рефератов и/или содержимого рефератов принадлежат их законным правообладателям. Любое их использование возможно лишь с согласия законных правообладателей. Администрация сайта не несет ответственности за возможный вред и/или убытки, возникшие или полученные в связи с использованием рефератов и/или содержимого рефератов.

РЕКЛАМА









© ReferatCity.ru, рефераты, курсовые, дипломы, 2007-2018
При копирование материалов ссылка на сайт приветствуется.